影馳：DDR5內(nèi)存進入工程樣品試產(chǎn)階段，將于近期露面

IT之家 4 月 15 日消息，目前影馳的 DDR5 內(nèi)存已經(jīng)進入了工程樣品試產(chǎn)階段，并將于近期露面。

IT之家了解到，近日，影馳 DDR5 內(nèi)存就傳來了消息：DDR5 DRAM 內(nèi)存顆粒已經(jīng)到廠，開始進入工程樣品試產(chǎn)階段。如上圖所示，DDR5 內(nèi)存顆粒的外觀與 DDR4 沒有明顯差異，大小一致，只是編碼方式不同，另外芯片針腳設(shè)計不同，彼此互不兼容。針腳的差異意味著 DDR5 和 DDR4 在功耗、容量、頻率和 ECC 等方面有所不同。DDR5 支持 6400Mbps 的傳輸速率，比 DDR4 快 了 2 倍，且支持 ECC 糾錯，可以自行更正 1 bit 級錯誤，運行電壓為 1.1V，相比 DDR4 的 1.2V 更節(jié)能。相比 DDR4，DDR5 有著更快的速度、更大的容量、更高的穩(wěn)定性以及更低的能耗，可打造單條容量 512GB、頻率 8400MHz 的超高規(guī)格。

影馳官方介紹：

更快的速度

內(nèi)存帶寬的提升是 DDR5 之于 DDR4 最直接的改變之一。DDR5 內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是 DDR4 的兩倍，首發(fā)將以 4800MHz 起跳，比 DDR4 的標準頻率 3200MHz 提高了 50% 之多，未來最高甚至可以達到 8400MHz。

更大的容量

容量的大幅提升是 DDR5 內(nèi)存最顯著的特征。單顆 DDR5 允許單個存儲芯片達到 64Gbit 的密度，這比 DDR4 的最大 16Gbit 密度提高了 4 倍，有助于提高單顆閃存的容量，進而提升內(nèi)存的容量。可以預見的是，在 DDR5 時代，16GB 將會成為單條內(nèi)存的普遍起步容量。

更高的穩(wěn)定性

相比上一代標準，由于引入了多種 RAS，DDR5 在穩(wěn)定性方面也會有更佳的表現(xiàn)。其中，曾經(jīng)只有在服務(wù)器市場才有的檢驗與糾正技術(shù) ——ECC，將會成為 DDR5 內(nèi)存的標配。

更低的能耗

能耗方面，DDR5 的電壓可低至 1.1V，相比 DDR4 的 1.2V 降低了 0.1V，可為玩家提供更多的調(diào)整空間以便充分壓榨內(nèi)存的性能。考慮到 DDR4 的實際電壓多為 1.35V，甚至一些超頻版本的內(nèi)存電壓為 1.5V，DDR5 在降低能耗方面著實有著不小的進步。